CFan性能最多相差78倍！揭开存储卡速度之谜！》我们解释了存储卡速度之谜。今天，我们将重点放在同一个基础上NAND在闪存设计的U盘(闪存盘)领域，看看这种存储设备的速度如何区分。

我们可以把闪存盘理解为自带USB接口存储卡。

然而，闪存板的尺寸相对较大。其实际性能取决于内置闪存和主控芯片的规格，对终端设备要求不高(只要支持相应的USB3.x Gen1/2标准接口即可)。

目前，闪存盘的主要制造商主要是群联(Phison)、慧荣（SMI）、鑫创（SSS）、联阳（ITE）、安国（ALCOR）、银灿（Innostor）为主。

闪存盘比存储卡复杂得多。在形态上，闪存盘包含Nano同时配备迷你型、单接口型、双接口型USB-A和USB 电脑Type-C）；在速度方面，闪存盘仍然存在USB2.0、USB3.0/3.1/3.2 Gen1（5Gbps）和USB3.1/3.2 Gen2（10Gbps）。

Nano黑胶体封装也被称为迷你闪存盘UDP黑胶体和PIP包装技术)，所有部件一次成型，闪存板主体无间隙，具有不易损坏、可靠性高、防水、防震、防尘、防磁等优点。

但这种结构的闪存盘性能一般(速度多为200MB/s内)，最大的优点是小便携不占空间。

一切都有例外，三星FIT升级版 虽然也是Nano迷你型，但速度仍可达4000MB/s，三星应该解决高性能控制的小型包装技术，成本更高。

128GB/256GB版速达到4000MB/s，64GB版会降至300MB/s

高速闪存盘一般采用闪存与主控芯片分离的设计，部分型号可达400多个MB/s读取速度主要是因为它们的内部是由SSD主控芯片 闪存芯片 USB由桥接芯片组成，因此也被很多网友誉为固态闪存盘（USSD）。以闪迪CZ以880为例，这款高端闪存盘采用祥硕科技ASMedia ASM1153E SATA3（6Gbps）To USB3.1 Gen1（5Gbps）转接芯片。以闪迪CZ以880为例，这款高端闪存盘采用祥硕科技ASMedia ASM1153E SATA3（6Gbps）To USB3.1 Gen1（5Gbps）转接芯片。

需要注意的是，高端闪存盘未来的发展趋势是放弃过去的桥接设计，直接集成更高性能的单主控芯片。比如金士顿DataTraveler Max就内置慧荣SM在单芯片(不是闪存)的基础上，支持2320主控USB3.2 Gen2.实际传输速率可达1万MB/s。

去年年初，群联还发布了世界上第一个也是最快的USB3.2 Gen2×2（20Gbps）闪存盘主控（PS2251-18)连续读取速度高达1900MB/s，连续写入性能也可达到17000MB/s，堪比中端PCIe 3.0 SSD。群联曾表示，PS2251-18主控不需要桥接控制器，降低了成本，简化了成本PCBA设计。以桥接为基础USB外部SSD能效提高了56%。

然而，这种超高速闪存板也遇到了一些问题——为了解决高速衍生的发热问题，体积不能太小，价格比容量相同的200MB/s闪存盘至少翻了一番。更尴尬的是，目前的标准配置USB3.2 Gen2接口（10Gbps）电脑还没有普及，很多普通消费者即使咬牙也会英雄无用。

总之，闪存盘是最常见的NAND主控对介质存储产品的性能至关重要，上限极高，下限极低。需要注意的是，为了降低成本，很多不知名品牌会将白片甚至黑片的闪存颗粒与闪存盘搭配，对稳定性和使用寿命影响很大。因此，强烈建议您优先选择金士顿、三星、闪迪等一线品牌的产品。